真空鍍膜機(jī)設(shè)備真空鍍膜機(jī)系統(tǒng)特點(diǎn)
真空鍍膜機(jī)在等離子體束濺射中，濺射離子均勻刻蝕靶面，并且不會(huì)使靶面產(chǎn)生氧化。與磁控濺射相比，其中的等離子體束是由射頻等離子體源產(chǎn)生的，磁場(chǎng)的作用則是使等離子體束會(huì)聚并偏轉(zhuǎn)至靶面，因此，雖然等離子體束濺射鍍膜系統(tǒng)內(nèi)也有磁場(chǎng)，但其磁場(chǎng)卻并不控制影響濺射，這也摒棄了磁控濺射中由磁場(chǎng)不均勻帶來(lái)的“磁控”的缺點(diǎn)。在濺射完成后，所得的靶材利用率可高達(dá)90%以上。
真空鍍膜機(jī)即分別進(jìn)行磁控濺射和等離子體束濺射之后靶面刻蝕的對(duì)比圖。由于靶材的利用率大幅度提高，也解決了磁控濺射中所難以克服的缺點(diǎn)，即靶中毒導(dǎo)致的刻蝕不均勻
真空鍍膜機(jī)此外，磁控濺射由于背面磁鐵磁場(chǎng)不均勻而產(chǎn)生濺射跑道，非磁場(chǎng)約束區(qū)很容易產(chǎn)生氧化，因此很難沉積鐵磁性材料，而等離子體束濺射中由于不用磁鐵作為等離子體約束，能夠進(jìn)行鐵磁性材料的鍍膜，并且可以使用很厚的靶材，圖3中實(shí)驗(yàn)金屬鈷的厚度即為6mm。對(duì)于鐵、鎳、鉻以及鐵磁性化合物，等離子體束濺射也都具有很高的濺射速率。
應(yīng)用該項(xiàng)鍍膜技術(shù)的系統(tǒng)還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)將電磁線圈的極性反接時(shí)，由于磁場(chǎng)的方向產(chǎn)生了變化，等離子體束會(huì)在磁場(chǎng)的作用下轟擊基片，從而對(duì)基片產(chǎn)生清洗作用,如圖4 所示。這實(shí)際上可以使得應(yīng)用該項(xiàng)技術(shù)的鍍膜機(jī)省略常規(guī)鍍膜機(jī)的清洗用離子源。
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